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IR新電源模塊組件應(yīng)用于DC-DC同步降壓(圖文)

時間:2013-08-07 11:17:33  來源:中國企業(yè)文化傳播網(wǎng)  作者:本網(wǎng)編輯 王美紅

本網(wǎng)訊 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商  國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日推出首套創(chuàng)新的電源模塊組件系列產(chǎn)品—— IRFH4251DIRFH4253D,適用于DC-DC同步降壓應(yīng)用,包括先進的電信和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備、服務(wù)器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等。

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新款25V IRFH4251DIRFH4253D采用IR的新一代硅技術(shù)和嶄新的5x6 mm PQFN封裝,提供功率密度的新標(biāo)準(zhǔn)。全新電源模塊組件配有高度集成的單片式FETKY®,其創(chuàng)新的封裝采用頂尖的翻模 (flipped-die) 技術(shù),可以將同步MOSFET源直接連接到電路板的地線層以實現(xiàn)有效散熱。由于具有更強的散熱性能和功率密度,任何一個采用5x6 mm封裝的新組件都可以替換采用5x6 mm封裝的兩個標(biāo)準(zhǔn)獨立組件。全新封裝還采用已在PowIRStageSupIRBuck中廣泛使用的IR專利技術(shù)單銅夾,以及經(jīng)過優(yōu)化的布線,有助于大幅減少雜散電感以降低峰值鳴震,這樣設(shè)計師就可以用25V MOSFET代替效率較低的30V組件。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRFH4251DIRFH4253D電源模塊組件采用頂級的硅技術(shù)和突破性封裝,具有多項嶄新功能,為高性能DC-DC開關(guān)應(yīng)用提供行業(yè)領(lǐng)先的功率密度。這些組件采用更高效的布線,必可樹立DC-DCMOSFET的行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)。

IRFH4251DIRFH4253D針對5V柵極驅(qū)動應(yīng)用進行了優(yōu)化,可與各種控制器或驅(qū)動器結(jié)合使用,從而帶來設(shè)計的靈活性,與采用兩個分立式30V功率MOSFET的同類方案相比,能以較小的占位面積實現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。

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